Влияние утечки через буферный слой на внутреннюю надёжность AlGaN/GaN HEMT с номинальным напряжением 650 В

Исследуется роль ловушек в буферном слое, идентифицированных как акцепторы CN методом токовой спектроскопии переходных процессов глубоких уровней (DLTS), в токе утечки в закрытом состоянии и динамическом сопротивлении R_on силовых приборов GaN-на-Si с номинальным напряжением 650 В. Динамическое сопротивление R_on сильно зависит от напряжения вследствие взаимодействия между динамическими свойствами ловушек CN и наличием компонентов тока, ограниченного пространственным зарядом. Это приводит к полному подавлению деградации динамического R_on в условиях высокотемпературного обратного смещения (HTRB) при напряжениях от 420 до 850 В.