Синтетическая конструкция голографической маски для вычислительной близкодействующей литографии с использованием метода OMRAF, ориентированного на литографию

Литография с выравнивателем масок не зависит от сложных систем проекционных линз, предлагая экономичный и высокоэффективный подход к производству микросхем. Однако её ограниченное разрешение сдерживает применение в передовом чипостроении. Голографическая литография повышает разрешающую способность за счёт введения фазовой информации на маску. Тем не менее традиционные голографические маски испытывают трудности при адаптации к всё более сложным шаблонам и уменьшающимся размерам элементов. В статье предлагается метод проектирования синтетической голографической маски, основанный на проекционно-итерационном алгоритме OMRAF, с поэтапной дискретизацией распределений амплитуды и фазы голографической маски в соответствии с ограничениями изготовления масок. Результаты моделирования показывают, что предложенный подход обеспечивает высоко верное воспроизведение изображения с высокой однородностью и субмикронным разрешением. С применением голографической маски можно сформировать воздушное изображение с минимальной шириной линии 0,4 µm для непериодических структур при зазоре близости 50 µm. В условиях ограничений изготовления масок голографические маски с минимальным размером элемента 0,8 µm были изготовлены методом электронно-лучевой литографии, и экспериментальные результаты подтверждают корректность и реализуемость предлагаемого метода.