О взаимосвязи между эффектом излома и эффективной подвижностью в InAlN/GaN-транзисторах с высокой подвижностью электронов
On the correlation between kink effect and effective mobility in InAlN/GaN HEMTs
2014-10-01
SCID: 54.1/u93jnw99
Discuss with AI
InAlN/GaN HEMTэффективная подвижностьэффект изломанапряжение изломамелкие ловушки
Figures from the paper
Abstract (AI)
В работе исследуется эффект излома, наблюдаемый в транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе InAlN/GaN. Для выявления влияния этого явления на поведение транзисторов проведены электрические измерения. Показано, что эффект излома непосредственно связан с мелкими ловушками, расположенными ниже зоны проводимости. Предложена модель, позволяющая выявить влияние эффектов рассеяния на эффективную подвижность и точно описать положение так называемого напряжения излома при напряжении на затворе, близком к напряжению отсечки.
Key Findings
1
Электрические измерения показывают, что эффект излома существенно влияет на поведение транзистора.
2
Эффект излома в InAlN/GaN HEMT напрямую связан с мелкими ловушками, расположенными ниже зоны проводимости.
3
Модель точно описывает положение напряжения излома при напряжениях на затворе, близких к напряжению отсечки.
4
Предложенная модель учитывает эффекты рассеяния и объясняет их влияние на эффективную подвижность.
5
Исследование устанавливает связь между эффектом излома и эффективной подвижностью в InAlN/GaN HEMT.
Research Object
Высокоэлектронно-подвижные транзисторы (HEMT) на основе InAlN/GaN, демонстрирующие эффект перегиба
Research Subject
Корреляция между эффектом перегиба, мелкими ловушками под зоной проводимости, эффектами рассеяния и эффективной подвижностью, включая поведение напряжения перегиба вблизи отсечки
Publication Details
Publication Date
2014-10-01
Journal
Publisher
ISSN
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest