Преимущество GaN над MOSFET в инверторах для дронов: экспериментальное сравнение

Беспилотные летательные аппараты (БПЛА) с батарейным питанием трансформируют современное сельское хозяйство, применяясь для распыления удобрений и других задач. Эти дроны используют моторные приводы, которые должны быть легкими и эффективными, чтобы максимально продлить срок службы батареи и увеличить время полета между подзарядками. Широко запрещённые полупроводники с широккой зоной запрещённых энергий, в частности нитрид галлия (GaN) в виде полевых транзисторов (FET), показали улучшение работы бесколлекторных двигателей постоянного тока (BLDC) в приложениях электромобильности и робототехники. В данной работе представлены экспериментальные испытания, сравнивающие инвертор на GaN FET с эквивалентными инверторами на MOSFET, приводящими в действие двигатель с постоянными магнитами для сельскохозяйственных дронов.