Переоценка внутренней объемной рекомбинации в кристаллическом кремнии
Reassessment of the intrinsic bulk recombination in crystalline silicon
2021-11-24
SCID: 54.1/wbb6akbt
Discuss with AI
рекомбинация Ожекристаллический кремнийвнутреннее объёмное рекомбинированиерадиативная рекомбинацияпереизлучение люминесценции в образце
Figures from the paper
Abstract (AI)
Характеризация и оптимизация концепций кремниевых солнечных элементов следующего поколения опираются на точное знание внутренней рекомбинации носителей заряда в кристаллическом кремнии. Сообщения о измеренных временах жизни, превышающих ранее принятые параметризации внутренней рекомбинации, указывают на завышение этой рекомбинации в некоторых режимах инжекции и, следовательно, на необходимость пересмотра. В данной работе изготовлены двенадцать наборов высококачественных кремниевых образцов с широким диапазоном легирования, используя современные технологические методы, чтобы обеспечить точную оценку внутренней рекомбинации на основе изменения толщины подложки. Особое внимание уделялось снижению внешней рекомбинации, обусловленной загрязнением объема или поверхностей пластин. Сочетание высококачественных образцов с улучшенной характеристикой образцов и измерениями времени жизни позволяет достичь значительно более высокой точности по сравнению с предыдущими исследованиями. Мы обнаруживаем, что для точного описания радиативной рекомбинации необходимо учитывать реабсорбцию фотонов люминесценции внутри образца. С учетом этого эффекта мы выделяем ограничение времени жизни, обусловленное аугеровской рекомбинацией. Установлено, что извлеченная скорость аугеровской рекомбинации может быть точно параметризована с использованием физически обоснованного уравнения, основанного на кулоновски усиливаемой аугеровской рекомбинации для всех условий легирования и инжекции, релевантных для кремниевой фотоэлектрики. Повышенная точность описания данных, достигнутая с помощью модели, свидетельствует о том, что наша новая параметризация более согласована с реальным процессом рекомбинации, чем предыдущие модели. В связи со значительными изменениями, предсказанными для аугеровской рекомбинации при умеренной инжекции, мы дополнительно пересматриваем фундаментально возможный предел эффективности преобразования мощности для одноэлементной кристаллической кремниевой солнечной ячейки до 29.4%, что отличается на 0.1 процентного пункта по сравнению с другими недавними оценками.
Key Findings
1
После учёта пере-поглощения извлечено ограничение времени жизни, обусловленное Ауэровской рекомбинацией, и точно параметризовано физически мотивированным уравнением с учётом кулоновского усиления Ауэра.
2
Для точного описания радиативной рекомбинации необходимо учитывать пере-поглощение люминесцентных фотонов внутри образцов.
3
Пересмотр Ауэровской рекомбинации при умеренной инжекции приводит к пересмотренному предельному КПД однослойной кристаллической кремниевой солнечной ячейки 29,4% (в пределах 0,1%абс от недавних оценок).
4
Новая параметризация Ауэровской рекомбинации более согласована с реальным процессом при всех условиях легирования и инжекции, релевантных для кремниевой фотогальваники, чем предыдущие модели.
5
Были изготовлены и измерены двенадцать наборов высококачественных кремниевых образцов с широким диапазоном легирования и уточнённой характеристикой для точной оценки внутренней рекомбинации в объёме.
Research Object
Внутренние процессы рекомбинации носителей заряда в кристаллическом кремнии (включая радиативную и Оже-рекомбинацию) в пластинах кремния
Research Subject
Точное количественное определение и параметризация скоростей внутренних объёмных процессов рекомбинации (с учётом реабсорбции люминесценции) в различных режимах допирования и инжекции с выделением ограничения со стороны Оже-рекомбинации и пересмотром фундаментального предела эффективности одноштырькового кремниевого солнечного элемента
Publication Details
Publication Date
2021-11-24
Journal
Publisher
ISSN
Cited by
162
Open access PDF
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest