Улучшенное количественное описание аугероновской рекомбинации в кристаллическом кремнии
Improved quantitative description of Auger recombination in crystalline silicon
2012-10-09
SCID: 54.1/5b2cc27c
Discuss with AI
аугерская рекомбинацияКулоновское усиление аугеровой рекомбинациипассивация оксидом алюминияуровень инжекции носителей (carrier injection level)кристаллический кремнийплотность доноров (dopant density)высокочистый n- и p- тип кремнияпараметризация внутренней рекомбинациирадиативная рекомбинацияпассивация нитридом кремния
Figures from the paper
Abstract (AI)
Точное количественное описание скорости аугероновской рекомбинации в кремнии в зависимости от концентрации примесей и уровня инжекции носителей важно для понимания физики этого фундаментального механизма и для прогнозирования физических пределов эффективности кремниевых устройств. Технологический прогресс позволил практически подавить конкурирующие механизмы рекомбинации как в объеме кристалла кремния, так и на поверхностях. Это, вместе с использованием современных методов характеристики, привело к уточнению значения скорости аугероновской рекомбинации, которое оказалось ниже, чем считалось ранее. В настоящей работе мы представляем систематическое исследование инжекционно-зависимой рекомбинации носителей для широкого диапазона концентраций примесей в высокочистых пластинах n-типа и p-типа, пассивированных современными диэлектрическими слоями оксида алюминия или нитрида кремния. На основе этих измерений мы разрабатываем общую параметризацию для внутренней рекомбинации в кристаллическом кремнии при 300 K, согласованную с теорией кулоновского усиления аугероновской и радиативной рекомбинации. Используя это улучшенное описание, мы можем анализировать физические аспекты механизма аугероновской рекомбинации, такие как кулоновское усиление.
Key Findings
1
Установлено, что недавние измерения показывают более низкую, чем считалось ранее, скорость аугеровой рекомбинации в кремнии.
2
Разработана общая параметризация для внутренней рекомбинации в кристаллическом кремнии при 300 K, согласующаяся с теорией аугеровой и радиативной рекомбинации, усиленных кулоновскими эффектами.
3
Измерены зависящие от инжекции скорости аугеровой рекомбинации в высокочистом n- и p-типе кремния при широком диапазоне концентраций легирования с пассивацией поверхности Al2O3 или SiNx.
4
С помощью улучшенного описания проанализированы физические аспекты аугеровой рекомбинации, включая количественную оценку кулоновского усиления.
Research Object
Ауэровская (Auger) рекомбинация в высокочистой кристаллической кремниевой пластине (n- и p-тип) с пассивацией поверхности диэлектрическими слоями
Research Subject
Квантитативное описание и параметризация скорости ауэровской рекомбинации при 300 K в зависимости от уровня инжекции и концентрации легирования, включая эффект кулоновского усиления и согласование с теорией радиативной рекомбинации
Publication Details
Publication Date
2012-10-09
Journal
Publisher
ISSN
Open access PDF
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest