Эффект излома в S22 для HEMT на основе GaN и GaAs

В настоящем письме представлено ясное понимание эффекта излома в S22 для активных твердотельных электронных устройств. Происхождение эффекта излома связывается с внутренней частью транзистора, тогда как внешние элементы определяют его форму на внешних портах. Поэтому для корректного сравнения эффекта излома в HEMT на основе GaN и GaAs настоящий анализ посвящён не только целым устройствам, но и их внутренним секциям. Экспериментальные данные показывают, что независимо от конкретной полупроводниковой технологии величина и частотный диапазон эффекта излома в основном определяются значениями внутренней крутизны и ёмкостей соответственно.