Р-тип проводимости в Mg-легированном GaN, обработанном низкоэнергетическим электронным пучком (LEEBI)

В Mg-легированном GaN реализована выраженная р-тип проводимости при обработке низкоэнергетическим электронным пучком (LEEBI), и впервые представлены свойства светодиода на p–n переходе из GaN. Установлено, что обработка LEEBI существенно снижает удельное сопротивление и заметно повышает эффективность фотолюминесценции (PL) GaN, выращенного методом MOVPE и легированного Mg. Измерение эффекта Холла для этого Mg-легированного GaN после обработки LEEBI при комнатной температуре показало концентрацию дырок примерно 2·10^16 см^-3, подвижность дырок примерно 8 см^2/В·с и удельное сопротивление примерно 35 Ом·см. Светодиод на p–n переходе с использованием LEEBI-обработанного Mg-легированного GaN в качестве р-типа продемонстрировал сильное излучение вблизи краевой зоны поглощения, обусловленное инжекцией дырок из p-слоя в n-слой при комнатной температуре.