Эффект излома при криогенных температурах в глубоко субмикронных HEMT AlGaN/GaN

Эффект излома исследован в глубоко субмикронных транзисторах с высокой подвижностью электронов AlGaN/GaN путем измерения их характеристик постоянного тока, высокочастотных и импульсных характеристик при криогенных температурах. В этих приборах эффект излома в основном обусловлен ловушками: он возникает после плазменной обработки T4/O2, использованной для травления пассивирующего слоя; эта обработка создает ловушки под затвором и вокруг него. Связь между эффектом излома и травлением также подтверждена в приборах с фотолитографически сформированными затворами при различных временах воздействия фторсодержащей плазмы.