Характеризация эффекта излома в HEMT AlGaN/GaN методом измерений на постоянном токе и переходных процессов тока стока

В работе представлены результаты обнаружения и характеризации паразитных эффектов в транзисторах с высокой подвижностью электронов (HEMT) AlGaN/GaN на подложке SiC. Сначала исследуется влияние условий эксперимента и температуры на статические характеристики I_D–V_DS в диапазоне от 160 до 390 K. Затем с помощью измерений на постоянном токе и импульсных измерений демонстрируется зависимость эффекта излома от температуры, электрического поля и времени интегрирования. Методом изотермической спектроскопии переходных процессов тока стока выявлены две ловушки: одна, связанная с процессом эмиссии, и другая — с процессом захвата; энергии активации составляют соответственно 0,58 и 0,64 эВ.