Наблюдение эффекта излома в легированных углеродом HEMT-транзисторах GaN-на-Si для силовых применений

Впервые эффект излома наблюдается на выходных характеристиках HEMT-транзистора GaN-на-Si, легированного углеродом, с длиной затвора 2,5 мкм. Этот излом обусловлен механизмом деблокировки носителей заряда при участии горячих электронов и зависит от напряжения на подложке. Эксперименты показывают, что в буферном слое GaN, легированном углеродом, вследствие захвата заряда индуцируется отрицательный потенциал, что приводит к повышению вероятности деблокировки носителей при участии горячих электронов из-за пикового электрического поля в канале. Влияние температуры на эффект излома характеризуется немонотонным поведением как для V_DS,kink, так и для амплитуды излома.