Происхождение эффекта излома в транзисторах с высокой подвижностью электронов AlInN/GaN

Эффект излома наблюдается в транзисторе с высокой подвижностью электронов Al0.83In0.17N/GaN при измерении характеристик ID–VDS с низкой скоростью развертки. Предполагается, что излом обусловлен захватом и высвобождением носителей заряда на глубоких уровнях, присутствующих в буфере GaN в области доступа между затвором и стоком. Высвобождение носителей заряда с глубоких уровней происходит по механизму, стимулированному горячими электронами. С помощью температурно-зависимого анализа переходного тока стока выявлены два типа ловушек с энергиями активации 0,29 эВ (донороподобная) и 0,57 эВ (акцептороподобная). Сделан вывод, что за эффект излома отвечает глубокая акцептороподобная ловушка с большой постоянной времени эмиссии.