Физическое понимание эффектов излома в силовых HEMT на основе GaN

В данной работе для изучения эффекта излома и объяснения лежащих в его основе физических механизмов используется хорошо откалиброванная вычислительная модель. Установлено, что модель ударной ионизации и ловушки, индуцированные легированием буфера GaN углеродом, имеют критическое значение для воспроизведения эффекта излома. Анализ зависимости от напряжения на подложке и детальные расчёты выявляют взаимное влияние различных механизмов захвата в буфере GaN и дырок, генерируемых ударной ионизацией, на формирование эффекта излома. Определение конкретных физических механизмов, ответственных за эффект излома, выполненное в данной работе, позволит разработчикам приборов предотвращать его, принимая соответствующие меры при проектировании силовых HEMT на основе GaN.