Эффект кинкинга в HEMT AlGaN/GaN, индуцированный накачкой стока и затвора

Эффекты кинкинга исследованы в традиционных транзисторах с высокой подвижностью электронов AlGaN/GaN путем измерения их вольт-амперных характеристик при различных условиях развертки напряжения смещения на стоке и затворе. Установлено, что эффект кинкинга индуцируется накачкой стока и затвора. Величина кинкинга напрямую связана с максимальными уровнями напряжения на стоке и тока в открытом состоянии. Горячие электроны в двумерном электронном газе канала, генерируемые при высоком напряжении смещения на стоке, могут инжектироваться в прилегающий эпитаксиальный буферный слой, где они захватываются ловушками донорного типа. Предполагается, что захват горячих электронов и последующее поле-индуцированное высвобождение из ловушек являются доминирующими механизмами возникновения кинкинга в исследованном приборе. Энергия активации ловушек, ответственных за эффект кинкинга, определенная по температурно-зависимым переходным измерениям, составляет 589 ± 67 мэВ и близка к энергии ловушки E2, широко описанной для слоев GaN.